西門子MD型加速器調制器采用直流諧振式電路。限流元件電感與仿真線高壓電容構成直流諧振回路，其電感量為3H，高壓電容C總容量為0.07μP。充電電感L另有DQ繞組。該電路利用電感和電容諧振現象，在電容C充電的前半周，電源經電感向電容充電，電感中的電流由零升至最大值1max，此時電感磁能也最大；因L中電流不能突變，其充電后半周是由L中的磁能釋放繼續向C充電，此時電感兩端感應電勢與前半周反相。電路設計為：在充電前半周DQ繞組給可控硅陽極負向偏壓；在充電后半周，DQ繞組給可控硅陽極正向偏壓。因此只有在充電的后半周期同時給可控硅觸發信號，可控硅才能導通，DQ繞組才能釋放多余的磁能，達到DQ的目的。因此加在可控硅兩端的電壓瞬時極性和觸發信號的同步與非是DQ電路能否正常工作的關鍵。其LC諧振周期約3ms，根據不同的能量檔，高壓變壓器輸出不同高壓，從而改變高壓電容充電的電壓，改變微波輸出功率。低能、中能、高能三檔的最大充電電流約為1.5A、2A、2.6A，高壓電容單次充電時間約為1.25ms-1.5ms。改變PFN預置電壓，DQ點應改變，DQ繞組中電流也有變化的，最大電流約為50A。在實際維修中，有如下幾種情況該電路不能DO。

1.  DQ繞組的同名端接反

維修調制器或更換充電電感時，如把DQ繞組的同名端接反，當PFN電壓達到預置值時，雖觸發延時電路輸出給可控硅觸發信號，但因DQ繞組同名端接反，DQ繞組給可控硅反向偏置，雖有觸發信號，但可控硅不能導通，故不能DQ。

2. PFN控制電壓設備太低

高壓電源對電容C充電，高壓經取樣與PFN預置電壓比較。如PFN控制電壓設置太低，在電容充電前半周，即有取樣電壓高于預置的PFN電壓，比較延時電路輸出的觸發信號至可控硅，此時因可控硅陽極電壓反向偏置，故不能DQ。

3. 充電周期太短

當電感部分擊穿時，因電感量減少，充電電流增大，充電周期縮短，雖然比較電路反轉輸出觸發脈沖，但經延時600txs，至可控硅時，電容充電周期已結束，故不能DQ，此時充電電流明顯高于正常值。

4. 比較反饋電路或延時電路故障，在電容充電后半周，不能輸出延遲觸發脈沖至可控硅，電路也不能DQ。

以上幾種情況均能通過示波器觀測到充電波形。因不能DQ，此時仿真線高壓電容充電將近2倍電源電壓，此高壓經脈沖變壓器加至磁控管，會使磁控管電流達到150A。若CLIPO／C電路完好，將會立即保護，否則有可能損壞磁控管，這是很危險的，須引起重視。因此建議在檢修調制器時，應將PFN參數與原參數作參考，應先使用低能檔調機，以防控制電路某一部分故障而損壞貴重元器件。